Dispositivos y Diseño Microelectrónico
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Artículos
| Artículo 73 | |||||
|---|---|---|---|---|---|
| Título: | Rapid thermally annealed plasma deposited SiNx:H thin films: Application to metal-insulator-semiconductor structures with Si, In0.53Ga0.47As,and InP | ||||
| Revista: | Journal of Applied Physics | ||||
| Año: | 2003 | ||||
| Volumen: | Página Inicio: | 2642 | Página Fin: | 2653 | |
| Autores: |
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| Artículo 74 | |||||
|---|---|---|---|---|---|
| Título: | Optical and structural properties of SiOxNyHz films deposited by electron cyclotron resonance and th | ||||
| Revista: | Journal of Applied Physics | ||||
| Año: | 2003 | ||||
| Volumen: | Página Inicio: | 8930 | Página Fin: | 8938 | |
| Autores: |
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| Artículo 75 | |||||
|---|---|---|---|---|---|
| Título: | Electromagnetic properties measurements of ferromagnetic materials using microstrip | ||||
| Revista: | Microwave and Optical Tecnology Letters | ||||
| Año: | 2002 | ||||
| Volumen: | Página Inicio: | 176 | Página Fin: | 180 | |
| Autores: |
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| Artículo 76 | |||||
|---|---|---|---|---|---|
| Título: | Characterization method of film-shaped materials. Pressure effect measurement on the electromagnetic | ||||
| Revista: | AEÜ International Journal of Electronics and Communication | ||||
| Año: | 2002 | ||||
| Volumen: | Página Inicio: | 211 | Página Fin: | 214 | |
| Autores: |
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| Artículo 77 | |||||
|---|---|---|---|---|---|
| Título: | Very high broadband electromagnetic characterization method of film-shaped materials using coplanar | ||||
| Revista: | Microwave and Optical Technology Letters | ||||
| Año: | 2002 | ||||
| Volumen: | Página Inicio: | 352 | Página Fin: | 355 | |
| Autores: |
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| Artículo 78 | |||||
|---|---|---|---|---|---|
| Título: | Fast electromagnetic method of thin planar materials using coplanar line up to V-band | ||||
| Revista: | Electronics Letters | ||||
| Año: | 2002 | ||||
| Volumen: | Página Inicio: | 373 | Página Fin: | 374 | |
| Autores: |
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| Artículo 79 | |||||
|---|---|---|---|---|---|
| Título: | Composition and optical properties of silicon oxynitride films deposited by electron cyclotron reson | ||||
| Revista: | Vacuum | ||||
| Año: | 2002 | ||||
| Volumen: | Página Inicio: | 507 | Página Fin: | 512 | |
| Autores: |
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| Artículo 80 | |||||
|---|---|---|---|---|---|
| Título: | Physical properties of plasma deposited SiOx thin films | ||||
| Revista: | Vacuum | ||||
| Año: | 2002 | ||||
| Volumen: | Página Inicio: | 525 | Página Fin: | 529 | |
| Autores: |
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| Artículo 81 | |||||
|---|---|---|---|---|---|
| Título: | Rapid thermal annealing effects on plasma deposited SiOx:H films | ||||
| Revista: | Vacuum | ||||
| Año: | 2002 | ||||
| Volumen: | Página Inicio: | 531 | Página Fin: | 536 | |
| Autores: |
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| Artículo 82 | |||||
|---|---|---|---|---|---|
| Título: | Stopping power and polarizations induced in a plasma by a fast charged particle in circular motion | ||||
| Revista: | Journal of Physics B: Atomic, Molecular and Optical Physics | ||||
| Año: | 2002 | ||||
| Volumen: | 35 | Página Inicio: | 1455 | Página Fin: | 1465 |
| Autores: |
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| Artículo 83 | |||||
|---|---|---|---|---|---|
| Título: | Molecular Models and Activation Energies for Bonding Rearrangement in Plasma-Deposited a SiNx:H diel. | ||||
| Revista: | Physical Review B. | ||||
| Año: | 2001 | ||||
| Volumen: | Página Inicio: | 1 | Página Fin: | 10 | |
| Autores: |
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| Artículo 84 | |||||
|---|---|---|---|---|---|
| Título: | Characterization of polycrystalline Cu (In, Ga) Te2 thin films prepared by pulsed laser deposition. | ||||
| Revista: | Thin Solid Films. | ||||
| Año: | 2001 | ||||
| Volumen: | Página Inicio: | 23 | Página Fin: | 28 | |
| Autores: |
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